发布时间:2018-12-05 22:48:14 文章来源:互联网
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    简单讲几句,主要的区别是实现原理以及是否能够商业化。

    实现原理上目前国际上使用「深紫外光源」的光刻机是主流,对于7nm以及更高的工艺,ASML最高端的光刻机用的是「极紫外光源」,也就是所谓的EUV光刻机。
 
    这种光刻机有个最大的缺点:就是贵!它的成本极高,一个光源就要3000万元人民币,还必须要在真空下使用,以至于ASML的EUV光刻机创造了“一台卖一亿美金”的神话。
 
    而国产光刻机采用的是传统的365nm汞灯做光源达到了10nm的工艺,并且这种光源的成本一只只有几万元,大大降低了光刻机的整体成本,从一亿美金降到百万元至千万元级别。
 
    国产光刻机在技术上最大的突破在于没有重复走ASML的老路,而是另辟蹊径,采用了表面等离子体(SP)光刻技术,形成了一条全新的纳米光学光刻技术路线,并拥有完全自主知识产权。
 
    但国产光刻机同时也存在短板,比如最大只能加工4英寸的晶圆,而主流晶圆厂都是8寸、甚至是12寸起步了。而且国产光刻机采用的是接触式光刻,一点点缺陷就会造成品质问题,所以只能做简单的线、点、光栅等部件,目前还不能用于生产更为复杂的芯片。
 
    所以目前中国的光刻机只能被用于军事、研究等领域,还没有形成和ASML竞争的商业化能力,但饭要一口一口吃,几年之后说不定还真有可能弯道超车呢。

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