发布时间:2020-06-30 21:21:38 文章来源:互联网
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    一、国产光刻机的现状

    说到光刻机,总要说一下当前光刻机的现状,目前最强的是ASML,工艺节点是5nm,而中国最强的是上海微电子,工艺节点是90nm。
 
    此外日本佳能是28nm,尼康是90nm,可见差距还是有的,并且还很大,应该按照正常的发展轨迹,估计要10年吧。
 
    而前段时间,网上传言说明年上海微电子,要推出28nm的光刻机,后来这样的消息基本上在网上全被删除了,可见应该是假消息,所以官方坐不住,出来删贴了。
 
    二、核心元件和技术难点
 
    为什么光刻机相差这么远?究竟是什么难住了其生产?有些人以为是核心元件禁运,所以中国生产不了,其实并不是的。
 
    光刻机的原理是投影仪+照片机,利用光,把光罩上的电路图投射到涂了光刻胶的硅晶圆上,形成电路图,就是光刻机的工作过程。
 
    核心元件就是激光源,但这玩意并不罕见,也不禁运,国内一样也可以买得到,那么为何还是生产不出来最先进的光刻机呢?其实还是技术。
 
    光刻机最难的是技术积累,怎么说呢?就是同样的元件,但是精度达到最高,ASML曾流传过一句名言,说就算公开图纸,别人也制造不出来。
 
    因为ASML的工程师,可以为了一个元件的参数,调整10年,这就是积累,这就是技术,国内没有这样的人才。
 
    其实更重要的是光刻机是给芯片制造厂用的,ASML是和台积电、三星一起造光刻机,双方一起调校、测试再生产的。而国内芯片生产技术才14nm,成熟的技术是28nm、40nm这些,当然也就生产不出高端光刻机来了,实验室,闭门造车可不行的。

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