发布时间:2020-07-17 11:18:28 文章来源:互联网
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  做任何事情不能盲目自大,但也不能妄自菲薄。

  一直以来我相信绝大多数人都没有唱衰中国光刻机制造,只是大多数人觉得我国光刻机跟世界顶尖水平有很大的差距而已,毕竟这是一个事实。

  实际上一直以来我国都有自己的光刻机,我国光刻机研究始于上世纪60年代,直到80年代初的时候,我国光刻机仍然处于世界比较先进的水平,当时跟外国最顶尖的光刻机水平只差几年时间。

  只是后来改革开放之后,我国可以直接进口外国的一些光刻机,而且进口的这些光刻机技术更先进,成本又更低,所以没有企业愿意投入更多的资金去研发国内的光刻机。

  结果导致我国光刻机的技术跟日本,外国以及荷兰的技术差距越来越大,特别是荷兰ASML成功研发出EUV光刻机之后,我国跟他们的差距更是越拉越大。

  直到本世纪初,我国又重新开始重视起光刻机的研究起来,所以目前我国光刻机是可以独立自主生产的,只是我们生产出来的光刻机精度没有那么大。

  目前我国真正实现量产的最高制程光刻机是90纳米,虽然28纳米光刻机已经研发成功,但预计要等到2021年底才能够正式量产。

  而目前全球最顶尖的光刻机制造商ASML已经拥有成熟的7纳米EUV光刻机,同时他们也正在研发5纳米以及3纳米的光刻机。

  所以目前我国的光刻机技术跟全球最顶尖的水平至少差三代以上。

  不过最近几年我国在光刻机研究方面已经取得了不少积极的成果,比如清华大学研究出了光刻机双工作台,这使得我国成为全球第二个具备开发双工作台光刻机的国家。

  再比如2018年11月,由中国科学院光电技术研究所所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收,该装备采用365nm波长的紫外光单次成像,实现了22纳米的分辨率,结合双重曝光技术后,未来还有可能用于制造10nm级别的芯片,这为我国芯片加工提供了全新的解决途径。

  2019年4月,武汉光电国家技术研究中心甘棕松团队采用二束激光在自主研发的光刻胶上突破了光束衍射极限,采用远场光学的办法,成功刻出9nm线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新,这个技术突破让我国打破了三维纳米制造的国外技术垄断,在这个全新的技术领域内,我国从材料、软件到光机电零部件都不再受制于人。

  再比如前段时间中科院苏州纳米所在5纳米激光光刻技术上也取得了新的突破。

  这些成就的取得都表明目前我国在光刻机技术研究方面正在不断突破,跟国际顶尖的水平正在逐步缩小。

  虽然目前我国光刻机跟全球顶尖水平仍然有很大的差距,但我相信在我国科研人员的努力之下,终有一天我们会实现光刻机技术的全新突破的。

  正如以前西方国家也曾经对我国进行大量的技术封锁,比如导弹、卫星,航母等方面,西方国家都对我国进行技术封锁,但在西方对我国采取封锁的350项技术当中,目前绝大部分技术已经被我国突破,而且这些突破都是我国完全独立自主研发出来的。

  所以我们要相信我国的科研人员,过去几十年我国经济快速发展,大多数人更关注的是产能而忽略了核心技术。但最近几年随着我国产业结构的调整升级,技术研发已经越来越受到全社会的关注,当全社会集中精力去做一件事情的时候,我相信再难的事情,我们迟早都会取得突破的。

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